該產(chǎn)品是通過微型電容工藝制成的新微型芯片電容器

該技術(shù)主要是通過微型電容工藝，綜合解決了芯片電容器的不同制作方法中存在的不同問題。微型芯片電容器是微波集成電路、多芯片組件封裝中一個非常重要的電子器件，起旁路和濾波作用，使微波頻段工作的IC電源電壓穩(wěn)定。要求其體積小、Q值高、電容值范圍寬、成本低。

但不同工藝中存在不同弊端：

技術(shù)原理：

硅基Al2O3薄膜微型芯片電容器包括低阻(電阻率≤1×10-3Ω·cm)硅襯底、非晶Al2O3絕緣薄膜、上電極、下電極四層結(jié)構(gòu)。采用射頻磁控濺射法，以高純Al2O3陶瓷為靶材，在單晶Si襯底生長Al2O3非晶絕緣薄膜，接著在薄膜表面濺射生長Ti或TiW層和Au層，再經(jīng)電鍍Au加厚后，通過光刻、腐蝕的方法制作上電極圖形，根據(jù)芯片電容厚度的要求對Si片背面減薄，在背面濺射Ti或TiW層和Au層作為下電極，劃片后制作成芯片電容。

該電容器結(jié)構(gòu)簡單，工藝兼容性強，Q值高，低損耗，工作溫度范圍大

采用低阻硅片做襯底，不僅克服MOS結(jié)構(gòu)電容C值隨電壓V變化的缺點，同時提高芯片電容工作時電容量的穩(wěn)定性，而且減小了芯片電容器等效串聯(lián)電阻，提高了芯片電容的Q值，損耗小，在電路或網(wǎng)絡(luò)的選擇性愈佳，工作溫度范圍也大。

基于上述原理，硅基Al2O3薄膜芯片電容器結(jié)構(gòu)簡單，制作工藝與普通半導(dǎo)體薄膜工藝兼容，制作容易，成本低廉，一致性較好。

可焊性好、壽命長， 成本低。

該硅基Al2O3薄膜電容器在1MHz下?lián)p耗角正切僅為0.005，其性能良好。該電容器上電極和下電極表面均為金材料，可焊性好，成本低。上電極電鍍金加厚，還可提高金絲引線的鍵合強度。

該產(chǎn)品具有耐壓性，其體積小，體積可變，靈活性強

因其結(jié)構(gòu)，非晶Al2O3薄膜作為所述的芯片電容器的介質(zhì)薄膜，低阻硅片作襯底，以達到提高電容容量，減小面積，耐壓，減小串聯(lián)寄生電阻的目的。因其小，所以適合表面貼裝。并且可根據(jù)實際電路和封裝需要，靈活控制電容量、芯片電容器面積和厚度。電容量可從幾十皮法到幾千皮法，厚度最小可到100μm。

項目進展：

樣品已出，現(xiàn)尋求與企業(yè)合作，進行中試，生產(chǎn)。

合作模式：

可技術(shù)買斷，技術(shù)入股，技術(shù)轉(zhuǎn)讓。